Re: Мобильные новости
Добавлено: 18 мар 2015, 22:45
Аналитическая компания Blannco Technology Group отчиталась об итогах исследования частоты выявления сбоев в смартфонах и планшетах. Специалисты заявили, что с iPhone проблемы возникают чаще, чем с Android-гаджетами, и назвали лидеров антирейтинга.
Специалисты учитывали как сбои программного обеспечения, например, внезапные зависания или закрытия приложений, так и аппаратные сбои - потерю сигнала, сильный нагрев и пр. По итогам III квартала 2016 они сравнивали число возникновения проблем в iOS - и Android-гаджетах, а также частоты определенных сбоев.
Наблюдались сбои в 62% исследованных гаджетов Apple, доля проблемных Android-гаджетов составила всего 47%. Среди iOS-устройств наиболее высокий процент сбоев наблюдался в iPhone 6 (13% от общего количества), второе и третье место антирейтинга разделили iPhone 5S и iPhone 6S (по 9%). Примечательно, что iPhone 7 и 7 Plus в рейтинг не попали, так как вышли позже, а одним из самых стабильных устройств оказался iPhone 4S - проблемы с этой моделью составляли лишь 2% от всех случаев.
Самым проблемным смартфоном среди гаджетов на Android признали LeEco Le2.
На втором месте - два смартфона Xiaomi - на Redmi 3S и Redmi Note 3 зафиксировали 9% от общего количества проблем. Флагманский Samsung Galaxy S7 edge - на четвертом месте.
Презентация Galaxy Note 8 состоится уже в следующую среду, 23 августа.
Samsung объявила о старте массового производства нового поколения флеш-накопителя для мобильных девайсов стандарта eUFS (embedded Universal Flash Storage) объемом 512 ГБ. По словам компании, новый накопитель обеспечивает непревзойденный объем, высокую производительность и энергоэффективность для будущих топовых смартфонов и планшетов без ограничений, свойственных microSD-картам. Новый 64-слойный чип V-NAND позволяет хранить до 10 раз больше 4К-видео в сравнении с аналогичным накопителем на 64 ГБ. Скорость чтения достигает 860 МБ/с, а записи – 255 МБ/с (заявлена передача 5-ГБ файла на SSD-накопитель за шесть секунд). Для случайных операций новый eUFS-накопитель способен выдавать 42 000 и 40 000 IOPS в режиме чтения и записи соответственно. Пока неясно, будет ли применен новый накопитель в грядущем Galaxy S9/S9+. Скорее всего, Samsung прибережет его к релизу Galaxy Note 9. Кстати, в этом году Galaxy Note 8 получил в некоторых странах вариант на 256 ГБ.